Skip to Content.
Sympa Menu

fizinfo - [Fizinfo] Ortvay kollokvium

fizinfo AT lists.kfki.hu

Subject: ELFT HÍRADÓ

List archive

[Fizinfo] Ortvay kollokvium


Chronological Thread 
  • From: <szpl AT metal.elte.hu>
  • To: <fizinfo AT lists.kfki.hu>
  • Subject: [Fizinfo] Ortvay kollokvium
  • Date: Tue, 12 May 2015 14:16:09 +0200

ELTE Fizikai Intézet

ORTVAY KOLLOKVIUM

2015. május 14., csütörtök, 15:00-kor
Az ELTE Pázmány Péter s. 1/A alatti épületében
földszinti 0.81 előadóban

Erdélyi Zoltán (Debreceni Egyetem)

„Diffúzió, nukleáció és fázisnövekedés nanoskálán: mobilitás,
feszültségek, rétegrend, nagy koncentráció gradiens hatása"

Kivonatos ismertetés:
Csökkenő karakterisztikus hosszak mellett növekszik a határfelületek sűrűsége mely jelentősen befolyásolhatja a nanostruktúrájú anyagok fizikai tulajdonságait. A határfelületek élessége, a határfelületeknél létrejövő fázisok kialakulásának és növekedésének ismerete kritikus lehet technológiai szempontból. A határfelületek vizsgálata azonban gyakran atomi szintű feloldású technikát igényel. Az előadásban bemutatott eredmények eléréséhez atompróba tomográfia (APT), másodlagos neutrálisrész tömegspektrometria (SNMS) és szinkrotron állóhullámos technikákat használtunk. Az előadás során röviden bemutatásra kerülnek ezek a technikák, valamint az ezekkel elért néhány érdekes eredmény:

i) Ni/Cu rétegekben APT módszer segítségével sikerült kimutatnunk, hogy a kezdetben diffúz határfelületek kiélesedtek a hőkezelés hatására, annak ellenére, hogy a Ni és a Cu ideális szilárdoldatot alkotnak, s így inkább a határfelületek elmosódottságának növekedését várnánk. [1]

ii) Al/Cu/Al és Cu/Al/Cu gömbi trirétegek APT vizsgálata során kiderült, hogy az intermetalikus fázis növekedési üteme a határfelületeknél nagymértékben függ a rétegrendtől. A megfigyeltek értelmezésére megalkottunk egy komplett, analitikus egyenletrendszert, mely alkalmas a szilárdtest reakció leírására mag-héj típusú gömbi nanostruktúrákban. A modell figyelembe veszi a rugalmas feszültségeket, azok plasztikus relaxációját és a nem-egyensúlyi vakanciasűrűséget. [2]

iii) Cu/Si/hordozó rétegekben érdekes módon azt kaptuk, hogy a minta 408 K-re történő felmelegítése, majd azonnali lehűtése során, szinte „robbanásszerűen” keletkezik egy kb. 20 nm vastag Cu3Si réteg. Ha nem hűtjük le a mintát, akkor 18 óra hőkezelés szükséges ahhoz, hogy a Cu3Si réteg további 40 nm-t növekedjen. Ez a lassú növekedés viszont anomális kinetikájú, a reakcióréteg az idő négyzetgyökével arányosan növekszik. Fordított rétegrend (Si/Cu/hordozó)
esetében viszont nem figyelhető meg a „robbanásszerű” gyors növekedési szakasz. SNMS és APT technikák segítségével vizsgáltunk bi- és trirétegeket, majd pedig az eredményeket az irodalomban elérhető termodinamikai adatok alapján értelmeztük. A nukleációs folyamatot polimorfikus nukleációs módként azonosítottuk. [3, 4]

iv) Szilárdtest reakció során vagy a nukleáció, vagy az állandósult (steady state) növekedési szakaszt vizsgálják. Kísérletileg szinte kizárólag az utóbbit, a nukleációs szakasz vizsgálatára csak néhány példa van az irodalomban. A két szakasz közötti átmeneti rész vizsgálatára pedig egyáltalán nem található példa. Ezt a szakaszt vizsgáltuk Ni-Si és Co-Si rendszerekben XRD (x-ray diffraction), négypontos ellenállásmérés, GIXRF (grazing incidence x-ray fluorescence) és EXAFS (extended x-ray absorption fine s
tructure) spektroszkópia segítségével, fluoreszcencia detektálás mellett, hullámvezető geometriában. a-Si/Ni/a-Si és a-Si/Co/a-Si rétegekben vizsgáltuk a Ni2Si és CoSi fázisok növekedésének kezdeti szakaszát. Azt figyeltük meg, hogy egy Ni-Si 2:1 keveréke alakul ki a határfelületeken a minta gyártása során, de azok vastagsága különböző az a-Si/Ni és Ni/a-Si határfelületeknél. Hőkezelés során kristályos Ni2Si keletkezik, de meglepő módon a vastagabb Ni2Si gyorsabban növekszik, mint a vékonyabb. Hasonló megfigyelést tettünk az a-Si/Co/a-Si esetében is. A kísérleti eredmények értelmezésére számítógépes szimulációt végeztünk.



[1] Z. Balogh, M.R. Chellali, G.-H. Greiwe, G. Schmitz, Z. Erdélyi, APPL.
PHYS. LETT. 99, 181902 (2011)

[2] Z. Erdélyi, G. Schmitz, ACTA MATERIALIA 60, 1807 (2012)

[3] B. Parditka, M. Verezhak, Z. Balogh, A. Csik, G.A. Langer, D.L. Beke, M.
Ibrahim, G. Schmitz, Z. Erdélyi, ACTA MATERIALIA 61:(19) pp. 7173-7179. (2013)

[4] M Ibrahim, Z Balogh, P Stender, R Schlesiger, G H Greiwe, G Schmitz, B
Parditka, G A Langer, A Csik, Z Erdélyi, ACTA MATERIALIA 76: pp. 306-313.
(2014)

[5] Parditka B, Tomán J, Cserháti C, Jánosfalvi Zs, Csik A, Zizak I,
Feyerherm R, Schmitz G, Erdélyi Z, ACTA MATERIALIA 87: pp. 111-120. (2015)



Archive powered by MHonArc 2.6.19+.

Top of Page