ELFT HÍRADÓ

[Máté Zoltán <mate AT atomki.mta.hu>]

Az MTA Atommagkutató Intézet előadótermében
(Debrecen, Bem tér 18/c. 12. ép. III. em.)
2014. február 13-án, csütörtökön 11:00-kor
  

                  Szenes György
            (ELTE Anyagfizikai Tanszék)

        Anyagi minőségtől független állapot 
   nagyenergiás nehézionokkal besugárzott szigetelőkben
    

címmel előadást tart.
 
Az előadás előtt 10:30-tól tea, vendégeket szívesen látunk.
 
 
                                            Máté Zoltán


Kivonat:
A nagyenergiás nehézionokkal besugárzott szigetelőkben az ionok pályája 
mentén a hőmérséklet megnő, és amorf nyomok keletkezhetnek. A nyomok 2Re 
átmérője megegyezik a ΔT(r,t) hőmérsékleteloszlás maximális szélességével a 
Tm olvadásponton (t=0). Azt tapasztaltuk, hogy Se/N=állandó (Se – 
elektronfékezés, N atomsűrűség) esetén a különböző szigetelőkben mért Re-Tm 
adatpárok egy egyszerű Θ(r) Gauss-függvénnyel írhatók le, amelynek 
paraméterei függetlenek az anyagi minőségtől. Az univerzális Θ(r) függvény 
szélessége w=4.5 nm, a maximuma Se/N értékével arányos, és változhat az ionok 
sebességével is (velocity effect). Így a nyomok Re sugara csak egyetlen 
anyagi paramétertől, Tm értékétől függhet. Θ(r) érvényességét igazoltuk a 
szigetelőkben eddig mért összes nyom esetében. A Θ(r) függvény vizsgálata 
magyarázatot ad a sebességhatás eredetére is, és belőle egyszerűen 
levezethető az Re2–Se egyenlet és az Set nyomképződési küszöb nagysága. 
 
Az univerzális Θ(r) függvény létezése csak akkor lehetséges, ha azonos 
sebességtartomány és Se/N=állandó esetén az ionok által kiváltott ΔT(r,0) 
hőmérsékletemelkedés minden szigetelőben azonos. Ez nem összeegyeztethető a 
hővezetési egyenlet megoldásaival, ahol 8-10 anyagi paraméter is előfordul. 
Ezért ionbesugárzásnál a Fourier-egyenlet nem használható a hőmérséklet 
számítására. Ez az eredmény érvényteleníti az eddigi számításokat és az ott 
alkalmazott elméleti módszereket több ionok által kiváltott hatás esetén.