ELFT HÍRADÓ

[SIMON Ferenc <f.simon AT eik.bme.hu>]

Kedves Kollégák,

A budapesti régióban működő félvezető kutatás-fejlesztésben aktív 
intézmények (Semilab, BME, ELTE, ÓE, HUN-REN EK MFA, HUN-REN Wigner FK, 
Robert Bosch, és Infineon) új szemináriumsorozatot indítanak, melyre 
minden érdeklődőt szeretettel várunk!

Az első előadás adatai:

Simon Ferenc (BME): "A teljesítményfélvezetők Moore törvénye, avagy miért 
SiC és mi a jövő anyaga?"

Időpont: 2026. október 8. (csütörtök), 15.00
Helyszín: Semilab Zrt., Education Center (XI. kerület, Prielle K. u. 2.,
Dexagon épület)

A bejutáshoz minden érdeklődő előzetes regisztrációját kérjük itt:
https://docs.google.com/forms/d/e/1FAIpQLSfmvJh5fHC5V7agzOTwd5N5HW5mlBT6RyPQDvYdViTu0_pncQ/viewform?usp=publish-editor

Az előadás kivonata:
A mikroelektronika több évtizedes fejlődésének egyik vezérfonala Moore 
törvénye: a tranzisztorok méretének csökkentése és számuk növelése újabb 
és újabb technológiai generációkat hozott létre. Ami Moore törvénye a 
mikroelektronikában, az a Baliga-törvény a teljesítményelektronikában: a 
Baliga-féle minőségi tényező és az abból következő skálázási összefüggések 
az anyag alapvető fizikai paramétereit kapcsolják össze a 
teljesítményeszközök feszültségtűrésével és vezetési veszteségével. 
Különösen a letörési térerősség erős  köbös  szerepe mutatja meg, miért 
jelenthetnek a széles tiltott sávú félvezetők nagyságrendi előrelépést a 
szilíciumhoz képest.
Az előadás azonban nem egyszerűen az új félvezetőanyagok történetét követi 
végig. A teljesítményelektronika fejlődése anyagok és eszközarchitektúrák 
egymásra épülő evolúciója: a planáris Si MOSFET-ektől a trench és 
superjunction struktúrákon, valamint a Si IGBT-n keresztül jutunk el a SiC 
diódákhoz és MOSFET-ekhez, illetve a nagyobb teljesítményű bipoláris SiC 
eszközök lehetőségéig. Eközben korábban már ismert eszközgeometriák és 
fizikai alapelvek új anyagokon jelennek meg újra, miközben az új anyagok 
sajátosságai új technológiai megoldásokat is kikényszerítenek. A fejlődés 
így nem egyszerűen az anyagok lecserélése, hanem az anyagok, az 
eszközfizika és az architektúra folyamatos újraoptimalizálása. Így válik 
érthetővé a SiC mai térnyerése az elektromos járművekben, inverterekben, 
megújulóenergia-rendszerekben és más nagy teljesítményű alkalmazásokban. 
Végül a SiC-n túlra tekintünk: mit kínál a GaN, a gyémánt és az 
ultra-széles tiltott sávú félvezetők, és vajon a következő nagy ugrást egy 
új anyag, egy új eszközarchitektúra  vagy a kettő megfelelő kombinációja 
fogja-e elhozni?

Az előadóról:
Simon Ferenc fizikus, a BME egyetemi tanára, az MTA levelező tagja és a 
BME TTK Fizikai Intézet igazgatója; kutatási területei a spintronika, a 
mágnesség, a nanoanyagok, a modern elektronika és a kvantumtechnológia, 
különös tekintettel az új anyagok és kvantumrendszerek spektroszkópiai 
vizsgálatára.