ELFT HÍRADÓ

[Janos Asboth <asboth.janos AT wigner.mta.hu>]

WIGNER SZFI SZEMINÁRIUMHimics László

(Wigner FK SZFI)
"Lumineszcencia centrumok kialakítása és spektrális jellemzése
nanogyémántban (PhD házivédés)"

Időpont: 2016. augusztus 30. (kedd) 10:00 (1 óra)
Hely: MTA Wigner FK SZFI, I. épület 1. emeleti Tanácsterem
Összefoglaló:

A nanoméretű gyémánt kristályokban található, illetve kialakítható fényt
emittáló hibahelyek tulajdonságainak megismerése és optimalizálása napjaink
egyik legintenzívebben kutatott területe. A nagy érdeklődést az alkalmazási
lehetőségek sokszínűsége, valamint olyan perspektivikus eszközök
motiválják, melyek jelentős áttörést hozhatnak többek között a kvantum
informatika (qubit), az információtitkosítás, vagy a sejtszintű
nyomkövetés, továbbá a képalkotás területein.

A doktori munkám során két különböző lumineszcencia centrum, nevezetesen az
N3 (három nitrogén atom egy szénvakancia körül) és SiV (szilícium-vakancia)
centrumok kialakításával és spektrális tulajdonságaiknak a vizsgálatával
foglalkoztam. Míg az előbbi esetében a centrum létrehozása utólagosan, két
különböző ionimplantálási technika (plazmaimmerziós ionimplantáció,
fókuszált ionnyalábos kezelés) és komplex hőkezelési eljárás alkalmazásával
történt 12 nm átlagos szemcseméretű, robbantásos módszerrel előállított
gyémánt nanokristályokban, addig utóbbinál a hibahelyeket MW CVD módszerrel
történő rétegleválasztással, a nanokristályok növekedése során alakítottuk
ki.

Az N3 centrum kialakítására irányuló kísérleteknél az ionimplantálás és a
hőkezelések által okozott kötésszerkezeti változásokat Raman
spektroszkópiával, míg a centrum kialakulásának folyamatát és az emissziós
tulajdonságok változását lumineszcencia spektroszkópiával követtem nyomon.
Emellett, a különböző implantációs paraméterek alkalmazása során bejutatott
nitrogén atomok és a kialakított szénvakanciák mélységi eloszlásának
meghatározása céljából SRIM számolásokat végeztem.

A SiV centrum vizsgálata során, elsősorban, a hibahely környezetének a
spektrális tulajdonságokra való hatását tanulmányoztam különböző
paraméterek mellett növesztett nanogyémánt vékonyrétegekben. Az eltérő
szerkezettel rendelkező, SiV centrumokat tartalmazó vékonyrétegeket
pásztázó elektronmikroszkópos vizsgálatokkal és Raman szórási mérésekkel
jellemeztem, míg a centrumok spektrális tulajdonságait a fotolumineszcencia
spektrumokból határoztam meg.

Előadásomban a fentiekben részletezett vizsgálatok eredményeit foglalom
össze.

*Részletes információ:* http://www.szfki.hu/seminar
Minden érdeklődőt szívesen látunk!

Asbóth János
szfi-seminar AT wigner.mta.hu