Skip to Content.

fizinfo - [Fizinfo] Ortvay kollokvium

fizinfo AT lists.kfki.hu

Subject: ELFT HÍRADÓ

Text archives


[Fizinfo] Ortvay kollokvium


Chronological Thread 
  • From: szpl <szpl AT metal.elte.hu>
  • To: <fizinfo AT lists.kfki.hu>
  • Subject: [Fizinfo] Ortvay kollokvium
  • Date: Fri, 04 Mar 2016 09:57:24 +0100

ELTE Fizikai Intézet

ORTVAY KOLLOKVIUM

2016. március 10., csütörtök, 15:00-kor
Az ELTE Pázmány Péter s. 1/A alatti épületében
földszinti 0.81 előadóban

Pécz Béla (MTA EK MFA)
„GaN rétegek és eszközök, a kék LED-en túl"


Kivonatos ismertetés:
GaN és rokon anyagai a széles tiltottsávú félvezetők közül az optoelektronikai alkalmazások (kék LED, majd világítás) miatt nagy figyelmet kaptak. Ugyanakkor ezekből az anyagokból nagyteljesítményű eszközök is készíthetők. A nagy teljesítmény miatt felmerül a jó hővezető anyagok alkalmazásának igénye ezekben az eszközökben. A legjobb hővezető anyagok a gyémánt és a grafén. A 2D grafén kombinációja a vegyületfélvezetőkkel (AlN és ZnO) újszerű 2D félvezető
rétegeket ígér.

Az előadásom mondanivalója, hogy a nanoszerkezet ismerete vezethet a makro tulajdonságok megértéséhez. E megismerésben legfontosabb eszközünk a transzmissziós elektronmikroszkópia, amelyben az elmúlt 10 évben forradalmi fejlődésnek lehetünk tanúi. Előadásomban röviden ismertetem a kék-LED és általában a jó minőségű GaN rétegek fejlesztésének történetét. Tárgyalom a nagyteljesítményű (high electron mobility transistor) HEMT tranzisztorok működés közbeni fűtésének problémáját és a lehetséges megoldásokat gyémánt és grafén segítségével. Az utóbbi elvezet a grafén/SiC hordozón létrehozott 2D AlN és ZnO félvezetőkhöz.




Archive powered by MHonArc 2.6.19+.

Top of Page