ELFT HÍRADÓ

[szpl <szpl AT metal.elte.hu>]

ELTE Fizikai Intézet

                                ORTVAY KOLLOKVIUM

                    2016. március 10., csütörtök, 15:00-kor
                Az ELTE Pázmány Péter s. 1/A alatti épületében
                           földszinti 0.81 előadóban

                            Pécz Béla (MTA EK MFA)
                „GaN rétegek és eszközök, a kék LED-en túl"


Kivonatos ismertetés:
GaN és rokon anyagai a széles tiltottsávú félvezetők közül az optoelektronikai 
alkalmazások (kék LED, majd világítás) miatt nagy figyelmet kaptak. Ugyanakkor 
ezekből az anyagokból nagyteljesítményű eszközök is készíthetők. A nagy 
teljesítmény miatt felmerül a jó hővezető anyagok alkalmazásának igénye 
ezekben az eszközökben. A legjobb hővezető anyagok a gyémánt és a grafén. A 2D 
grafén kombinációja a vegyületfélvezetőkkel (AlN és ZnO) újszerű 2D félvezető
rétegeket ígér.

Az előadásom mondanivalója, hogy a nanoszerkezet ismerete vezethet a makro 
tulajdonságok megértéséhez. E megismerésben legfontosabb eszközünk a 
transzmissziós elektronmikroszkópia, amelyben az elmúlt 10 évben forradalmi 
fejlődésnek lehetünk tanúi. Előadásomban röviden ismertetem a kék-LED és 
általában a jó minőségű GaN rétegek fejlesztésének történetét. Tárgyalom a 
nagyteljesítményű (high electron mobility transistor) HEMT tranzisztorok 
működés közbeni fűtésének problémáját és a lehetséges megoldásokat gyémánt 
és grafén segítségével. Az utóbbi elvezet a grafén/SiC hordozón létrehozott 
2D AlN és ZnO félvezetőkhöz.