ELFT HÍRADÓ

[Tamas Gal <gal AT fizika.ttk.pte.hu>]

A PTE Fizikai Intézete és a PAB Fizikai és Csillagászati Szakbizottsága
szeretettel meghívja



*Beke Dávid*



(Wigner Fizikai Kutatóközpont,
PTE Fizikai Intézet,
PTE SZKK Spektroszkópia Kutatócsoport)







*A szilíciumkarbid optikai tulajdonságait meghatározó paraméterek *



című előadására.








Helyszín: PTE-TTK, A/401. terem

Időpont: 2014. június 26., csüt. 12.00





*Minden érdeklődőt szeretettel várunk!*




*Előadáskivonat:*


A szilíciumkarbid (SiC) egy indirekt tiltott sávú félvezető. Mint az
indirekt sávszerkezettel rendelkező anyagoknál általában, a tömbi
szilíciumkarbid esetében is a gerjesztés és rekombináció is csak fonon
kapcsolt módon történhet meg, ezért a tömbi szilíciumkarbid gyenge emitter.
Ennek ellenére a különböző, nanostruktúrált SiC esetében több esetben is
erős lumineszcenciáról számoltak be. A lumineszcencia eredete azonban a
legtöbb esetben máig nem tisztázott. Csoportunk SiC kvantumpöttyökkel
(SiC-QDs) foglalkozik. A vizsgált klaszterek mérete 1-5 nm közé tehető.
Ebben a mérettartományban a SiC erős és rendkívül összetett
lumineszcenciával rendelkezik. Az emisszióban egyaránt szerepe van a
kvantum bezártságnak, a felületi csoportoknak és a környezetnek, de nem
szabad elfeledkezni arról sem, hogy a SiC több politípussal rendelkezik,
melyek optikai tulajdonságai eltérnek egymástól és az előállításból
fakadóan a SiC klaszterek méreteloszlása sem homogén. Ennek az összetett
mechanizmusnak a megértésére tettünk kísérletet a SiC QDs optikai és kémiai
tulajdonságainak szisztematikus vizsgálatával. Az eredmények kiértékelése
előtt nagyon fontos az irodalomban már megjelent hasonló SiC alapú
rendszerek optikai tulajdonságainak a tanulmányozása. A fellelhető számos
tanulmány sokféle, időnként egymásnak ellentmondó módon magyarázza a
nanostruktúrált SiC optikai tulajdonságait. Ezt a sokféleséget kívánom a
soron következő szemináriumi előadásban áttekinteni és a saját
eredményeinkkel korreláltatni.